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Vegard’slaw的偏異對WurtziteInxGa1-xN能隙與彎曲係數的影響摘要GaN的能帶間隙為3.42eV。InN的能帶間隙在2002年之前大家的認知約為1.9eV，但近來不少研究團隊經實驗證實，0.8eV左右才是合理的InN能帶間隙值。三元氮化物半導體的晶格常數與能帶間隙:aABN(x)=x．aAN+(1-x)．aBN-δa．x．(1-x)Eg,ABN(x)=x．Eg,AN+(1-x)．Eg,BN-b．x．(1-x)理論的計算使用「國家高速網路與計算中心」所提供的CASTEP模擬軟體。InxGa1-xN的bowingparameter首先，我們使用最低能量法來計算wurtzite結構的InxGa1-xN晶格常數，並且探討其與銦濃度x之間的關係。其次，使用前述計算所得到的晶格常數值來模擬InxGa1-xN的能帶結構、能帶間隙、以及能帶間隙的bowingparameter。本文模擬所使用的銦濃度分別為0、0.125、0.25、0.375、0.5、0.625、0.75、0.875、和1。晶格常數a對銦濃度之關係圖晶格常數c對銦濃度之關係圖In0.25Ga0.75N的能帶圖InxGa1-xN的能帶間隙其他相關研究,AlGaN、AlInNAlxGa1-xN的能帶間隙AlxIn1-xN的能帶間隙InxGa1-xN、AlxGa1-xN、AlxIn1-xN的能帶間隙與晶格常數之間的關係圖。這三條曲線的端點，分別是AlN、GaN、InN。這三條曲線所圍住的面積，代表的是各種可能的AlxGayInzN(x+y+z=1)四元光電半導體材料。結論致謝Thanksforyourattention!!
