半导体制造工艺流程优选半导体制造工艺流程根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。QuarterSmallOutlinePackage离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。NH4(40%):HF(40%)=7:1300-400mils(6.Orientation:Bypolarity第二次光刻—P+隔离扩散孔Orientation:Dot,notch,stripeindicatepin1andleadcountscounterclockwise.SmallOutline而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。渗漏测试（leaktest）0.中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比较大—蚀刻—清洗—去膜—清洗—基区扩散(B)LeadPitch:12mils(0.典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程50mils(1.半导体元件制造过程可分为一、晶圆处理制程二、晶圆针测制程三、IC构装制程半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类双极型集成电路和MOS集成电路优缺点半导体制造环境要求半导体元件制造过程典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程横向晶体管刨面图纵向晶体管刨面图NPN晶体管刨面图1.衬底选择第一次光刻—N+埋层扩散孔外延层淀积第二次光刻—P+隔离扩散孔第三次光刻—P型基区扩散孔第四次光刻—N+发射区扩散孔第五次光刻—引线接触孔第六次光刻—金属化内连线：反刻铝CMOS工艺集成电路CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例集成电路中电阻1集成电路中电阻2集成电路中电阻3集成电路中电阻4集成电路中电阻5集成电路中电容1集成电路中电容2主要制程介绍矽晶圓材料（Wafer）一般清洗技术光学显影蝕刻技術（EtchingTechnology）常见湿法蚀刻技术CVD化學气相沉積化學气相沉積CVD化学气相沉积技术物理气相沈積（PVD）解离金属电浆（淘气鬼）物理气相沉积技术离子植入（IonImplant）化学机械研磨技术制程监控光罩检测（Retical检查）铜制程技术半导体制造过程(2)分子束磊晶成長（MolecularBeamEpitaxy；P阱N阱SmallOutlineCMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒主要是一种物理制程而非化学制程。BodyType:PlasticLeadPitch:1.P型Siρ10Ω.CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例光罩是高精密度的石英平板，是用来制作晶圆上电子电路图像，以利集成电路的制作。Use(用途):Single-Inline-Packageforresistornetworkordiodearrays解离金属电浆是最近发展出来的物理气相沉积技术，它是在目标区与晶圆之间，利用电浆，针对从目标区溅击出来的金属原子，在其到达晶圆之前，加以离子化。六、MCM多芯片模块形成PMOS管的源、漏区及P+保护环。超净间：洁净等级主要由微尘颗粒数/m3300mils(6.黏晶完成後之導線架則經由傳輸設備送至彈匣（magazine）內，以送至下一製程進行銲線。2黏晶（DieBond）3銲線（WireBond）4封膠（Mold）5剪切/成形（Trim/Form）6印字（Mark）7檢驗（Inspection）8封装硅器件失效机理典型的测试和检验过程1。芯片测试（wafersort）2。芯片目检（dievisual）3。芯片粘贴测试（dieattach）4。压焊强度测试（leadbondstrength）5。稳定性烘焙（stabilizationbake）6。温度循环测试（temperaturecycle）8。离心测试（constantacceleration）9。渗漏测试（leaktest）10。高低温电测试11。高温老化（burn-in）12。老化后测试（post-burn-inelectricaltest）芯片封