会计学第８章半导体存储器和可编程逻辑(luójí)器件第８章半导体存储器和可编程逻辑(luójí)器件８.１只读存储器（ROM）ROM的分类(fēnlèi)8.1.1固定(gùdìng)ROM二极管掩膜ROM的结构(jiégòu)图中采用一个2线4线地址译码器将两个地址码A0、A1译成四个地址W0～W3。存储单元是由二极管组成的4×4存储矩阵，其中1或0代码(dàimǎ)是用二极管的有无来设置的。即当译码器输出所对应的W(字线)为高时，在线上的二极管导通，将相应的D(位线)与W相连使D为1，无二极管的D为0。如图中所存的信息为W0：0101；W1：1110；W2：0011；W3：1010掩模ROM除二极管掩模外，还有TTLROM和MOSROM等。一、二极管掩模ROM可编程ROM（PROM，ProgrammableROM）的基本原理如下图所示。这是一个简单的16位PROM（4×4），它与前一节中所讨论的二极管掩模ROM相似。从图6-9(a)中可以看到，每一个存储单元(cúnchǔdānyuán)有一个二极管和一个有效的熔断器，即每一个存储单元(cúnchǔdānyuán)包含一个逻辑1，这是PROM在写入程序前的状态。PROM的一次性编程给实际使用带来许多不便，在实际使用中更需要可重复编程的芯片。EPROM（ErasablePROM）是一种(yīzhǒnɡ)可擦写的PROM，它采用了N沟道增强型浮栅MOS管作为存储单元。用户只需用个人EPROM编程器（写入器）就可对EPROM编程或写入程序。如果要对EPROM重复使用或重复编程，则可以使用IC顶部特设的石英窗口，将紫外光（UV）直接照射到EPROM芯片上的窗口大约5分钟左右，通过紫外光把所有的存储单元设置为逻辑1来擦除EPROM，此后，可对EPROM重新写入程序。图6-10所示的是一个典型24引脚的EPROM存储器芯片。EPROM2716(a)方框图;(b)外引线(yǐnxiàn)图EPROM2732A有12根地址引脚（A0～A11）,在存储器中可编址4096（212）个字。EPROM2732A的电源电压为+5V，用紫外（UV）光可对其进行擦除。芯片允许输入（CE）低电平有效。OE/VPP为读/写控制端。在一般的应用中，EPROM处于被读取的状态。在存储器读取过程中，用低电平激活输出允许引脚OE/VPP，激活三态输出缓冲器来驱动计算机系统的数据总线。当EPROM2732A被擦除时，所有存储单元返回到逻辑1，通过改变已选择存储单元为0，可以输入数据。当OE／VPP输入为高电平(21V)时，2732A处于编程模式（往EPROM写入程序）。在编程（写入）的过程中，输入的数据在数据输出引脚D0～D7加入。EPROMEEPROM（ElectricallyErasablePROM）是电可擦除PROM，也称作E2PROM。EEPROM可以用电的形式(xíngshì)擦除。当把它放在电路板上时，能对其进行擦除或重新写入程序，这对于PROM或EPROM是不可能的。另外，还可以对EEPROM芯片上的部分程序代码进行重写，一次1个字节。EEPROM的存储单元有两种结构，一种为双层栅介质MOS管，另一种为浮栅隧道氧化层MOS管。其擦写次数可达1万次以上。闪存与EEPROM非常相似，也可以在电路板上重写程序。但是闪存与EEPROM的不同(bùtónɡ)在于闪存是整个芯片被擦除和重写程序。相对于EEPROM，闪存的优点是它有一个较简单的存储单元，因此在单个芯片上能够存储更多的位。另外，闪存被擦除和重写程序的速度远大于EEPROM。闪存的缺点是对其进行程序重写的电压为12～12.75V，且不能像EEPROM那样对其单个字节进行重写。闪存自1988年推出以来，以其高集成度、大容量、低成本和使用方便等特点得到了广泛的应用。随着存储容量不断加大和工作速度不断加快，闪存将会逐渐取代磁盘等存储器，在计算机及其它数字领域广泛应用。本节小结(xiǎojié)８.2随机存取存储器（RAM）8.2.1RAM的电路结构和工作(gōngzuò)原理读/写操作(cāozuò)时，X=1，Y=1，V5、V6、V7、V8均导通，触发器的状态与位线上的数据一致。当X=0时，V5、V6截止，触发器的输出端与位线断开、保持状态不变。当Y=0时，V7、V8截止，不进行读/写操作(cāozuò)。SRAM一般用于小于64KB数据存储器的小系统或作为大系统中高速缓冲存储器，有时还用于需要用电池作为后备电源进行数据保护的系统中。集成静态存储器2114(a)逻辑(luójí)符号;(b)外引线图图A1024×4RAM结构图2114RAM有10根地址线，可访问1024(210)个字。它有常见的片选(CS)和读/写允