电力电子复习回忆第二章电力电子器件一、电力电子器件概论1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于〔B〕A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电压型器件2、具有自关断能力的电力半导体器件称为（A）全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件（C）A二极管B晶闸管C电力晶体管D逆导晶闸管二、功率二极管1、功率二极管的封装形式有螺栓型和平板型，平板型的散热效果好。2、ZP4表示功率二级管的额定电流为4AO3、常用的功率二极管有三种类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。三、晶闸管〔SCR〕1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且一门极承受正压时，才能使其开通。2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是（A）。干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号3、为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过（B）A.平安区不触发区可靠触发区D.可触发区4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是（C）阳极电流上升太快B.阳极电流过大C.阳极电压过高D.电阻过大4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号（A）。失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（B）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至___维持电流___以下。7、晶闸管断态不重复电压U%m与转折电压。的数值大小上应为，U%m___>__—Ubo。8、晶闸管额定通态平均电流Ivear是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为—40°___。9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为〔B〕。A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流10、决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是（B）。A.维持电流IB.擎住电流IHLC.浪涌电流ID.额定电流TSm11、对于同一个晶闸管，其维持电流IH___<____擎住电流+12、KP1-12表示额定电流1A，额定电压理V的普通型晶闸管。13、晶闸管电流的波形系数定义为（A）寸IAKTmA.f7T(AV)KB.fIT(AVTm14、在It（av）定义条件下的波形系数匕为（B）nB.~2~3C.D.2n四、门极可关断晶闸管1、门极可关断晶闸管是一种——4层半导体构造的三端器件。2、要关断GTO，则需（B）A在门极加正脉冲信号B在门极加负脉冲信号C加强迫关断电路D加正弦波信号IATOb・TT1GT3、GTO的电流关断增益f=（D）。IA.ATOA.IGminIA:TOD.TIIGMIATOc.T^GD五、功率晶体管1、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（BA.—次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止2、功率晶体管的二次击穿现象表现为（A）A.从高电压小电流向低电压大电流跃变从低电压大电流向高电压小电流跃变从高电压大电流向低电压小电流跃变从低电压小电流向高电压大电流跃变3、功率晶体管的平安工作区围由几条曲线限定（A）A.4条B.3C.5条D.2条4、功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路，用来减少晶体管的（A）A.存储时间B.du/dtC.di/dtD.基极电流5、对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（C）A.导通B.寿命C.关断D.饱和〔六〕电力MOSFET管1、电力MOSFET导通时工作在可调电阻区。〔七〕IGBT1、双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是〔B〕。A.GTOB.IGBTC.GTRD.SCR2、IGBT是（B）A.电流驱动型元件B.电压驱动型元件C.半控型元件D.不控型元件〔八〕器件共性1、触发电路中的触发信号应具有〔D〕A.足够大的触发功率足够小的触发功率尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度2、常用的抑制过电压的方法有两种，一是用阻容元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。二是用―非线性_一元件限制过电压的幅值。3、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（D）A.功率晶体管B.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管4、可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是（D）A.功率晶体管GTRB.IGBTC.功率MOSFETD