1.单晶的制造方法1.直拉法（切克劳斯基法、CZ法）：利用旋转着的籽晶从坩埚(gānguō)中的溶液提拉制备出单晶的方法2.区熔法（FZ法）：采用高频率线圈(xiànquān)从外围来加热溶解多晶棒，在与籽晶接触后移动线圈(xiànquān)的方法制取单晶。(2)软件方面1.在输入工艺数据后，能自动控制各流程(liúchéng)；2.在单晶等晶过程中具备直径控制、拉晶速度控制的功能。本控制的程序块图表如图2所示1）拆炉2）装料、熔料5）放肩8）收尾（防止位错反延）a.逐步缩小晶体的直径直至最后缩小成为一点(yīdiǎn)·提高拉速·升高温度b.位错反延的距离大约等于生长界面的直径c.影响单晶的成品率2.3拉晶条件(tiáojiàn)和单晶特性b.导电(dǎodiàn)型e.碳浓度构成热场的石墨(shímò)材料硅多晶混入单晶中2.5硅晶体(jīngtǐ)的掺杂例题1：需要拉制重掺硼单晶硅，装料量为60Kg，目标电阻率为5×10-3Ω·cm,试计算需要掺入高纯硼多少(duōshǎo)克？解：W=60000gd=2.33g/cm3Cs=2.01×1019(从表中查出5×10-3Ω·cm对应的杂质浓度值)M=10.81（元素周期表B）No=6.02×1023Ko=0.82.01×10196000010.81M=××≈11.614g0.82.336.02×10232.6埚升速度(sùdù)的计算方法例：测得Φ457mm坩埚的内径为439mm，晶体(jīngtǐ)直径为205mm，当籽晶的提拉速度为1.6mm/min时，坩埚随动应为多少？Φ2205×205解：S’=0.932××S=0.932××1.6≈0.325（mm/min）Φ’2439×4393.异常情况及处理(chǔlǐ)方法坩埚(gānguō)裂缝的具体情况c.突然停电(tínɡdiàn)、停水谢谢！感谢您的观看(guānkàn)。