编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第PAGE81页共NUMPAGES81页第PAGE\*MERGEFORMAT81页共NUMPAGES\*MERGEFORMAT81页模拟电子技术教程HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap01/Chap1.htm"一、绪论二、半导体二极管及其基本电路HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap03/Chap1.htm"三、半导体三极管及放大电路HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap04/Chap1.htm"四、场效应管放大电路HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap05/Chap1.htm"五、功率放大电路HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap06/Chap1.htm"六、集成电路运算放大器HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap07/Chap1.htm"七、反馈放大电路HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap08/Chap1.htm"八、信号的运算及处理电路HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap09/Chap1.htm"九、信号产生电路HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap10/Chap1.htm"十、直流稳压电源二、半导体二极管及其基本电路基本要求正确理解：PN结的形成及单向导电性熟练掌握：普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数能够查阅电子器件相关手册难点重点1．ＰＮ结的形成（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm"\o"P型区内空穴是多子，电子是少子，而N型区内电子是多子，空穴是少子。"载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm"\o"P型区内的空穴要向N型区扩散，N型区的电子也要向P型区扩散。"从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结。图（1）浓度差使载流子发生扩散运动（2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。图（2）内电场形成（4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：一是HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm"\o"因为这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反"内电场将阻碍多子的扩散，二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方，HYPERLINK"http://siee.cumt.edu.cn/netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm"\o"从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区失去的空穴，而从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这样就使空间电荷区变窄。"使空间电荷区变窄。（5）因此，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。当扩散运动和漂移运动达到动态